3D TLC和MLC闪存哪个好 3D TLC和MLC闪存对比【详解】

  很多人痛恨TLC,但并不十分拒绝3D闪存,虽然大多数3D闪存实际也是TLC的,这一点可能很多人意想不到。

  不过很快大家就不用纠结了,因为MLC时代就要结束了,下代旗舰产品也将由3D TLC主打。下图是Forward Insight在2015年底时预测的闪存类型未来发展趋势,现在看来MLC被TLC取代的速度要比估计中要快很多,家用固态硬盘当中几乎已经看不到MLC闪存的身影了。

  3D闪存是将原有平面闪存在二维空间排列改为纵向多层堆叠,像盖高楼一样提升单位面积硅晶片所能容纳的数据量,目标就是——提升容量,降低成本。

  Toshiba即将出货的第三代BiCS闪存单Die容量将达到512Gb,单个封装的闪存颗粒就能实现1TB容量,而现在2D闪存要做到1TB容量普遍需要PCB正反面贴满16颗闪存颗粒才行。

  3D TLC闪存比现有平面TLC闪存略高一些,基本可以做到接近MLC的水平。

  不过3D TLC和普通平面TLC一样都是需要加强型的LDPC纠错来补偿提升,才能达到MLC闪存只需简单BCH纠错就能达到的耐久度水平。

  性能方面,3D TLC比平面TLC有所提升,但总体是不如MLC闪存的写入速度,总体的性能提升更多是靠NVMe协议的帮助。

  不过发热量大是NVMe固态硬盘的一大硬伤,现在来看短期内也没有完美搞定的方式。其实SATA接口中也有十分高效的型号,例如ToshibaQ200EX,它是当前少数几个仅存的原厂MLC闪存固态硬盘,却和TLC固态硬盘保持了相同的价位。

  很多人认为只有PCIe固态硬盘才有可能在PC Mark 8储存性能测验当中拿到5000分以上,而ToshibaQ200却依靠Toshiba独有的主控与原厂15nm MLC闪存斩获5007分,和同容量的Intel 600p NVMe固态硬盘持平。而论连续写入性能,600p在用光SLC缓存之后远不及ToshibaQ200。

  耐久度方面,Q200也保持了MLC闪存的天生优势,在TLC闪存普遍需要LDPC纠错才能维持能看的耐久度时,Q200运用的Toshiba原厂MLC闪存拥有3000PE以上RAW耐久,同时Q200还是MLC闪存固态硬盘当中少有的使用LDPC纠错码的型号。

  Toshiba的QSBC纠错是在LDPC纠错基础上增强而来,能取得8倍于传统BCH纠错的效果。不想等MLC彻底消失的话,现在入手Q200应该是最后的机会。

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