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三星850 EVO 120GB

(系列共7款) 全称:三星 850 EVO 120GB

  • 正面
  • 45度正面
  • 接口
  • 配盒图
基础参数:
容量:120G 闪存类型:三星32 层3D V-NAND 主控芯片:三星 MGX 控制器 连续读取最大速度:540MB/Sec 连续写入最大速度:522MB/Sec 更多参数>>

重点参数

参数解读

  • 容量:120G

  • 缓存容量:256M

  • 闪存类型:三星32 层3D V-NAND

  • 连续读取最大速度:540MB/s

  • 连续写入最大速度:522MB/s

  • 硬盘尺寸:2.5英寸硬盘

从手稿到工业成品的华丽蜕变,三星(SAMSUNG)的这款固态硬盘SSD——三星850 EVO 120GB完美诠释了什么叫业界典范与高规制造,凸显个性,独特设计;稳定耐用,终身保固;质量保证,品质如一,性能更稳定。

三星850 EVO 120GB 全部型号

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竞品型号 对比内容

容量

120G
500G
250G
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闪存类型

三星32 层3D V-NAND
MLC
MLC
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主控芯片

三星 MGX 控制器
三星 Phoenix
三星 Phoenix
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颗粒

暂无
三星 V-NAND 3-bit MLC
三星 V-NAND 3-bit MLC
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