MLC是什么

  NAND Flash产品可以分为三大架构,分别是单层式储存 (Single Level Cell;SLC),包括三星电子、Hynix、美光(Micron)以及东芝都是此技术使用者,第二种则是多层式储存(Multi Level Cell;MLC),目前有东芝、Renesas使用,不过三星电子将在2005第四季推出相关产品,最后则是英飞凌(Infineon)与Saifun Semiconductors合资利用NROM技术所共同开发的多位储存(Multi Bit Cell;MBC)。 今天我们只谈SLCMLC

MLC架构产品

  MLC是英特尔(Intel)在1997年9月最先开发成功的,通过精确控制Floating Gat上的电荷数量,使其呈现出4种不同的存储状态,每种状态代表两个二进制数值(从00到11)。

  也就是说SLC架构是0和1两个值,而MLC架构可以一次储存4个以上的值,因此MLC架构可以有比较好的储存密度,再加上可利用比较老旧的生产程备来提高产品的容量,而无须额外投资生产设备,拥有成本与良率的优势。

  不过MLC架构有着缺点,首先是使用寿命较短,MLC架构只能承受约1万次的存取,远低于SLC架构的10万次。其次就是存取速度,SLC架构比MLC架构要快速三倍以上,加上MLC架构对于电力的消耗较多。

  看来好像MLC不能使用了至少不成熟,而事事有个万一。因为现在三星在大批量生产MLC芯片,而三星又出品ARM主控芯片,所以相对其他的MP3主控芯片三星的主控芯片和三星MLC芯片的兼容相就更好。使用其他MLC芯片的MP3由于兼容性的问题有时就会出现读写速度慢,有闪存坏块等问题。

  可以说MLC无论是在成本上考虑还是在容量发展上考虑都是很好的发展方向,而现在需要做的是完善这个技术,更好的利用这个技术。

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